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PJD40N06A-AU_L2_000A1

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60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJD40N06A-AU_L2_000A1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.66000 $0.66
500 $0.6534 $326.7
1000 $0.6468 $646.8
1500 $0.6402 $960.3
2000 $0.6336 $1267.2
2500 $0.627 $1567.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 17mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 13.5 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1574 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 71W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

PSMN2R0-60PSRQ
NTMFS6H818NT1G
NTMFS6H818NT1G
$0 $/Stück
IRFU3910PBF
FDD16AN08A0
FDD16AN08A0
$0 $/Stück
RXH100N03TB1
GC20N65F
GC20N65F
$0 $/Stück
FDI8441

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