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PJE8412_R1_00001

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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJE8412_R1_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.51000 $0.51
500 $0.5049 $252.45
1000 $0.4998 $499.8
1500 $0.4947 $742.05
2000 $0.4896 $979.2
2500 $0.4845 $1211.25
0 items
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Name Wert
Produktstatus Not For New Designs
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 350mA (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.5V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 0.87 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 34 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 300mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-523
Paket / Koffer SOT-523
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Zugehörige Teilenummer

STL15N65M5
STL15N65M5
$0 $/Stück
MGSF3455VT1
MGSF3455VT1
$0 $/Stück
CSD16403Q5A
CSD16403Q5A
$0 $/Stück
FQP32N20C
FQP32N20C
$0 $/Stück
NDDL01N60Z-1G
NDDL01N60Z-1G
$0 $/Stück
SQD40081EL_GE3
IRF8304MTRPBF

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