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PJQ4401P_R2_00001

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PJQ4401P_R2_00001

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4401P_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.71000 $0.71
500 $0.7029 $351.45
1000 $0.6958 $695.8
1500 $0.6887 $1033.05
2000 $0.6816 $1363.2
2500 $0.6745 $1686.25
4975 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 27 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3228 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

3LP01M-TL-H
3LP01M-TL-H
$0 $/Stück
FDMS3662
FDMS3662
$0 $/Stück
IXTT11P50
IXTT11P50
$0 $/Stück
NTD20N03L27-001
NTD20N03L27-001
$0 $/Stück
IRF540STRRPBF
SIRA64DP-T1-RE3
NVMYS7D3N04CLTWG
NVMYS7D3N04CLTWG
$0 $/Stück
STD15N60M2-EP
FDH047AN08A0
FDH047AN08A0
$0 $/Stück

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