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STD15N60M2-EP

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MOSFET N-CH 600V 11A DPAK

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STD15N60M2-EP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $1.27970 -
5,000 $1.23768 -
39 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 378mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 590 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 110W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

FDH047AN08A0
FDH047AN08A0
$0 $/Stück
DMT10H009LSS-13
PMN40ENEX
PMN40ENEX
$0 $/Stück
NX7002BKVL
NX7002BKVL
$0 $/Stück
DMN2011UTS-13
DMP2066LDMQ-7
IXFX32N100P
IXFX32N100P
$0 $/Stück
IPI50R250CP

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