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PJQ4408P-AU_R2_000A1

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30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ4408P-AU_R2_000A1 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
4970 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta), 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.1 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 763 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

FDP2710
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$0 $/Stück
2SJ583LS
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$0 $/Stück
STB45NF06T4
IXFR200N10P
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$0 $/Stück
IXTA380N036T4-7
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$0 $/Stück
2N7002
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DMP6350SQ-13
C2M0160120D
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$0 $/Stück
FDD9411-F085
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