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PJQ4414P_R2_00001

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PJQ4414P_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ4414P_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
5000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Ta), 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 18mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.3 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 392 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 21W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

PXN012-60QLJ
SP000629364
R6006KND3TL1
FCP170N60
IRFH5250TRPBF
NVMFS5C460NT1G
NVMFS5C460NT1G
$0 $/Stück
FDN361BN
FDN361BN
$0 $/Stück

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