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PJQ4416EP_R2_00001

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PJQ4416EP_R2_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ4416EP_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 11mOhm @ 10A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 16 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1117 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 26W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMN601K-7
DMN601K-7
$0 $/Stück
SI2371EDS-T1-BE3
FDD5N50TM-WS
FDD5N50TM-WS
$0 $/Stück
SI2306-TP
SI2306-TP
$0 $/Stück
NTD3817NT4G
NTD3817NT4G
$0 $/Stück
SIHP11N80E-BE3
NVMFS5C426NLT1G
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$0 $/Stück
IXFL132N50P3
IXFL132N50P3
$0 $/Stück

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