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PJQ4443P_R2_00001

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40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ4443P_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.71000 $0.71
500 $0.7029 $351.45
1000 $0.6958 $695.8
1500 $0.6887 $1033.05
2000 $0.6816 $1363.2
2500 $0.6745 $1686.25
5000 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8.8A (Ta), 46A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 23 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2767 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.1W (Ta), 59.5W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN3333-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

STD11N65M2
STD11N65M2
$0 $/Stück
CSD19505KCS
CSD19505KCS
$0 $/Stück
MTA2N60E
MTA2N60E
$0 $/Stück
LND250K1-G
NTMFS5C410NLT3G
NTMFS5C410NLT3G
$0 $/Stück
PSMN012-60MSX
SPP35N10

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