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PJQ5410_R2_00001

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PJQ5410_R2_00001

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

nicht konform

PJQ5410_R2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 12 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1323 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 62W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DFN5060-8
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

RCJ450N20TL
SIS438DN-T1-GE3
AUIRFR024N
STT5N2VH5
STT5N2VH5
$0 $/Stück
STL33N60DM2
NTMFS5C423NLT1G
NTMFS5C423NLT1G
$0 $/Stück
BUK763R1-40B,118
RCJ081N20TL

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