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PJS6601_S2_00001

PJS6601_S2_00001

PJS6601_S2_00001

20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO

compliant

PJS6601_S2_00001 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.56000 $0.56
500 $0.5544 $277.2
1000 $0.5488 $548.8
1500 $0.5432 $814.8
2000 $0.5376 $1075.2
2500 $0.532 $1330
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N and P-Channel Complementary
FET-Funktion Standard
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4.1A (Ta), 3.1A (Ta)
rds ein (max) @ id, vgs 56mOhm @ 4.1A, 4.5V, 100mOhm @ 3.1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 4.6nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 350pF @ 10V, 416pF @ 10V
Leistung - max. 1.25W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Paket / Koffer SOT-23-6
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

NDS8934
FDW9926NZ
FDC6333C
FDC6333C
$0 $/Stück
DMP3085LSD-13
DMN2024UVT-13
RMD0A8P20ES9
RMD0A8P20ES9
$0 $/Stück
DMC2038LVTQ-7

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