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P3M12040K4

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SICFET N-CH 1200V 63A TO-247-3

P3M12040K4 Technisches Datenblatt

nicht konform

P3M12040K4 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $20.98000 $20.98
500 $20.7702 $10385.1
1000 $20.5604 $20560.4
1500 $20.3506 $30525.9
2000 $20.1408 $40281.6
2500 $19.931 $49827.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 63A
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 15V
rds ein (max) @ id, vgs 48mOhm @ 40A, 15V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 40mA (Typ)
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) +21V, -8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 349W
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-4L
Paket / Koffer TO-247-4
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Zugehörige Teilenummer

RM50N150DF
RM50N150DF
$0 $/Stück
NTD20N06T4G
NTD20N06T4G
$0 $/Stück
NTD70N03R-1
NTD70N03R-1
$0 $/Stück
SQ4840EY-T1_GE3
SQM100N04-2M7_GE3
DMTH47M2LPSW-13
STW69N65M5-4
NVH4L018N075SC1
NVH4L018N075SC1
$0 $/Stück

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