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Name | Wert |
---|---|
Produktstatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain-Source-Spannung (VDSS) | 1200 V |
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C | 63A |
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) | 15V |
rds ein (max) @ id, vgs | 48mOhm @ 40A, 15V |
vgs(th) (max) @ ID | 2.2V @ 40mA (Typ) |
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs | - |
vgs (max) | +21V, -8V |
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 349W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Montageart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247-4L |
Paket / Koffer | TO-247-4 |
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