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RM100N65DF

RM100N65DF

RM100N65DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 65V 100A 8DFN

RM100N65DF Technisches Datenblatt

nicht konform

RM100N65DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.65000 $0.65
500 $0.6435 $321.75
1000 $0.637 $637
1500 $0.6305 $945.75
2000 $0.624 $1248
2500 $0.6175 $1543.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 65 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) +20V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 9500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 142W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

DMP2066LSN-7
DMT10H014LSS-13
SQM100N02-3M5L_GE3
NVMFS5C466NLT1G
NVMFS5C466NLT1G
$0 $/Stück
NVMFS6H824NWFT1G
NVMFS6H824NWFT1G
$0 $/Stück
IRF830APBF
IRF830APBF
$0 $/Stück
NTMFS4C024NT3G
NTMFS4C024NT3G
$0 $/Stück
FDC634P
FDC634P
$0 $/Stück
PMPB85ENEA/FX

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