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SQM100N02-3M5L_GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 100A TO263

compliant

SQM100N02-3M5L_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
800 $1.14708 $917.664
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 3.5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 110 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5500 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263 (D²Pak)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

NVMFS5C466NLT1G
NVMFS5C466NLT1G
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NVMFS6H824NWFT1G
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IRF830APBF
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NTMFS4C024NT3G
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$0 $/Stück
FDC634P
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PMPB85ENEA/FX
RM100N30DF
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MTB30P06V
MTB30P06V
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