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RM12N650TI

RM12N650TI

RM12N650TI

Rectron USA

MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220F

RM12N650TI Technisches Datenblatt

compliant

RM12N650TI Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 11.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 360mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 870 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 32.6W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

STF7N105K5
STF7N105K5
$0 $/Stück
MSC080SMA120B
STB4NK60Z-1
NVF6P02T3G
NVF6P02T3G
$0 $/Stück
SIHB23N60E-GE3
SI4408DY-T1-E3
DMP3068L-7
SI2343CDS-T1-BE3

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