Welcome to ichome.com!

logo
Heim

RM150N100T2

RM150N100T2

RM150N100T2

Rectron USA

MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3

RM150N100T2 Technisches Datenblatt

compliant

RM150N100T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.84000 $0.84
500 $0.8316 $415.8
1000 $0.8232 $823.2
1500 $0.8148 $1222.2
2000 $0.8064 $1612.8
2500 $0.798 $1995
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 150A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.2mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) +20V, -12V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6680 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 275W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IRF3710PBF
FDU8586
PSMN1R5-50YLHX
PMN48XP,115
PMN48XP,115
$0 $/Stück
CSD18540Q5B
CSD18540Q5B
$0 $/Stück
PSMN4R3-40MLHX
FCP16N60
FCP16N60
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.