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RM150N60HD

RM150N60HD

RM150N60HD

Rectron USA

MOSFET N-CH 60V 150A TO263-2

RM150N60HD Technisches Datenblatt

compliant

RM150N60HD Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 150A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 220W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-263-2
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SI7898DP-T1-GE3
IXTY1N120P
IXTY1N120P
$0 $/Stück
FQA19N60
IXFN48N60P
IXFN48N60P
$0 $/Stück
SI2323DS-T1-BE3
SQJ416EP-T1_BE3
FQD1N60CTM
FQD1N60CTM
$0 $/Stück
SIHD7N60ET4-GE3

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