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RM150N60T2

RM150N60T2

RM150N60T2

Rectron USA

MOSFET N-CH 60V 150A TO220-3

RM150N60T2 Technisches Datenblatt

nicht konform

RM150N60T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.58000 $0.58
500 $0.5742 $287.1
1000 $0.5684 $568.4
1500 $0.5626 $843.9
2000 $0.5568 $1113.6
2500 $0.551 $1377.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 150A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 6500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 220W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFBC40SPBF
IRFBC40SPBF
$0 $/Stück
RRQ030P03HZGTR
DMN2710UTQ-7
NTD4909NT4H
NTD4909NT4H
$0 $/Stück
SIRA02DP-T1-GE3
NTLJS1102PTAG
NTLJS1102PTAG
$0 $/Stück
IXTT440N055T2
IXTT440N055T2
$0 $/Stück
RQ6E055BNTCR
FCH150N65F-F155
FCH150N65F-F155
$0 $/Stück

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