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RM15N650T2

RM15N650T2

RM15N650T2

Rectron USA

MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3

RM15N650T2 Technisches Datenblatt

nicht konform

RM15N650T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.92000 $0.92
500 $0.9108 $455.4
1000 $0.9016 $901.6
1500 $0.8924 $1338.6
2000 $0.8832 $1766.4
2500 $0.874 $2185
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 260mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1360 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 145W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220-3
Paket / Koffer TO-220-3
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Zugehörige Teilenummer

R6524KNX3C16
SIHH240N60E-T1-GE3
IRFR3303TRPBF
SIB406EDK-T1-GE3
BUK9M9R1-40EX
SVD5865NLT4G
SVD5865NLT4G
$0 $/Stück
IRF7480MTRPBF
STP18N60M2
STP18N60M2
$0 $/Stück

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