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RM170N30DF

RM170N30DF

RM170N30DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 170A 8DFN

RM170N30DF Technisches Datenblatt

compliant

RM170N30DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.69000 $0.69
500 $0.6831 $341.55
1000 $0.6762 $676.2
1500 $0.6693 $1003.95
2000 $0.6624 $1324.8
2500 $0.6555 $1638.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 170A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.65mOhm @ 85A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 7300 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 75W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

APT8052BLLG
IXTA12N65X2
IXTA12N65X2
$0 $/Stück
IRF9630
IRF9630
$0 $/Stück
RS1E130GNTB
SISS67DN-T1-GE3
STB28N60M2
STB28N60M2
$0 $/Stück

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