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RS1E130GNTB

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MOSFET N-CH 30V 13A 8HSOP

RS1E130GNTB Technisches Datenblatt

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RS1E130GNTB Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.18445 -
5,000 $0.17255 -
12,500 $0.16660 -
408 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 13A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 11.7mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 7.9 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 420 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 22.2W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSOP
Paket / Koffer 8-PowerTDFN
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