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RM17N800TI

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RM17N800TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 800V 17A TO220F

RM17N800TI Technisches Datenblatt

nicht konform

RM17N800TI Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.53000 $1.53
500 $1.5147 $757.35
1000 $1.4994 $1499.4
1500 $1.4841 $2226.15
2000 $1.4688 $2937.6
2500 $1.4535 $3633.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 800 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 17A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 320mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2060 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FDMS3D5N08LC
FDMS3D5N08LC
$0 $/Stück
PMZ550UNEYL
PMZ550UNEYL
$0 $/Stück
SI2321-TP
SI2321-TP
$0 $/Stück
SCH1337-TL-W
SCH1337-TL-W
$0 $/Stück
SIHP16N50C-E3
CPH3439-TL-E
CPH3439-TL-E
$0 $/Stück
ZVN3320ASTOA

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