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RM20N650TI

RM20N650TI

RM20N650TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 20A TO220F

RM20N650TI Technisches Datenblatt

nicht konform

RM20N650TI Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.04000 $1.04
500 $1.0296 $514.8
1000 $1.0192 $1019.2
1500 $1.0088 $1513.2
2000 $0.9984 $1996.8
2500 $0.988 $2470
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 210mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

RFD16N05LSM9A
RFD16N05LSM9A
$0 $/Stück
RF1S70N06SM
IXTA230N075T2-TRL
IXTA230N075T2-TRL
$0 $/Stück
IRF9Z14PBF-BE3
ZXMP7A17KTC
BUK7E2R3-40E,127
CSD19505KTTT
ECH8305-TL-E
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$0 $/Stück
SQ2351ES-T1_BE3
IXFK170N10P
IXFK170N10P
$0 $/Stück

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