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RM20N650TI

RM20N650TI

RM20N650TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 20A TO220F

RM20N650TI Technisches Datenblatt

compliant

RM20N650TI Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.04000 $1.04
500 $1.0296 $514.8
1000 $1.0192 $1019.2
1500 $1.0088 $1513.2
2000 $0.9984 $1996.8
2500 $0.988 $2470
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 210mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

RFD16N05LSM9A
RFD16N05LSM9A
$0 $/Stück
RF1S70N06SM
IXTA230N075T2-TRL
IXTA230N075T2-TRL
$0 $/Stück
IRF9Z14PBF-BE3
ZXMP7A17KTC
BUK7E2R3-40E,127
CSD19505KTTT
ECH8305-TL-E
ECH8305-TL-E
$0 $/Stück
SQ2351ES-T1_BE3
IXFK170N10P
IXFK170N10P
$0 $/Stück

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