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RM21N650TI

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RM21N650TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 21A TO220F

RM21N650TI Technisches Datenblatt

nicht konform

RM21N650TI Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.25000 $1.25
500 $1.2375 $618.75
1000 $1.225 $1225
1500 $1.2125 $1818.75
2000 $1.2 $2400
2500 $1.1875 $2968.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 180mOhm @ 10.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2600 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33.8W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220F
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

FQA65N20
FQA65N20
$0 $/Stück
STF16N60M6
STF16N60M6
$0 $/Stück
STP4NK80Z
STP4NK80Z
$0 $/Stück
IXFR20N80P
IXFR20N80P
$0 $/Stück
IXTT1N300P3HV
IXTT1N300P3HV
$0 $/Stück

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