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RM2310

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23

RM2310 Technisches Datenblatt

nicht konform

RM2310 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.06000 $0.06
500 $0.0594 $29.7
1000 $0.0588 $58.8
1500 $0.0582 $87.3
2000 $0.0576 $115.2
2500 $0.057 $142.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 3A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 105mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 1.9V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 247 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 1.7W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Zugehörige Teilenummer

IRFR024NTRPBF
RCJ700N20TL
R6030JNZC8
R6030JNZC8
$0 $/Stück
FDS8638
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$0 $/Stück
FQPF12N60T
IRFH7446TRPBF
BUK951R9-40E,127
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$0 $/Stück
IXTA1N200P3HV
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$0 $/Stück
IRF730B

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