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RM3010S6

RM3010S6

RM3010S6

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 10A SOT23-6

RM3010S6 Technisches Datenblatt

nicht konform

RM3010S6 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.06400 $0.064
500 $0.06336 $31.68
1000 $0.06272 $62.72
1500 $0.06208 $93.12
2000 $0.06144 $122.88
2500 $0.0608 $152
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 10A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 12mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1550 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-6
Paket / Koffer SOT-23-6
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Zugehörige Teilenummer

DMN2055U-7
STF8N65M5
STF8N65M5
$0 $/Stück
IXTA140N12T2
IXTA140N12T2
$0 $/Stück
STD7N65M2
STD7N65M2
$0 $/Stück
IXFH16N120P
IXFH16N120P
$0 $/Stück
SIR450DP-T1-RE3
NVD3055-094T4G-VF01
NVD3055-094T4G-VF01
$0 $/Stück

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