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STF8N65M5

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MOSFET N-CH 650V 7A TO220FP

STF8N65M5 Technisches Datenblatt

nicht konform

STF8N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $2.91000 $2.91
50 $2.38160 $119.08
100 $2.15870 $215.87
500 $1.71316 $856.58
1,000 $1.44585 -
2,500 $1.35675 -
5,000 $1.31220 -
24 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 690 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 25W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220FP
Paket / Koffer TO-220-3 Full Pack
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Zugehörige Teilenummer

IXTA140N12T2
IXTA140N12T2
$0 $/Stück
STD7N65M2
STD7N65M2
$0 $/Stück
IXFH16N120P
IXFH16N120P
$0 $/Stück
SIR450DP-T1-RE3
NVD3055-094T4G-VF01
NVD3055-094T4G-VF01
$0 $/Stück
SIR470DP-T1-GE3
SIS429DNT-T1-GE3

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