Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3

SIR470DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8

nicht konform

SIR470DP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.35135 -
6,000 $1.30130 -
4275 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 2.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5660 pF @ 20 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SIS429DNT-T1-GE3
SI4431BDY-T1-E3
CSD17576Q5B
CSD17576Q5B
$0 $/Stück
NDS9430
CSD19534Q5A
CSD19534Q5A
$0 $/Stück
NVMFS6H801NLWFT1G
NVMFS6H801NLWFT1G
$0 $/Stück
STB47N50DM6AG
STW48N60M6
STW48N60M6
$0 $/Stück
IXTH6N50D2
IXTH6N50D2
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.