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RM30P30D3

RM30P30D3

RM30P30D3

Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8DFN

RM30P30D3 Technisches Datenblatt

nicht konform

RM30P30D3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.22000 $0.22
500 $0.2178 $108.9
1000 $0.2156 $215.6
1500 $0.2134 $320.1
2000 $0.2112 $422.4
2500 $0.209 $522.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 10mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 40W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

STW46NF30
STW46NF30
$0 $/Stück
SISS06DN-T1-GE3
RQ3E130BNTB
SI2367DS-T1-GE3
SIHK055N60EF-T1GE3
NTMFS5C442NLT1G
NTMFS5C442NLT1G
$0 $/Stück
FQP7P20
BSC119N03MSCG
CSD17581Q5A
CSD17581Q5A
$0 $/Stück
RW1A030APT2CR

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