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RM35N30DN

RM35N30DN

RM35N30DN

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 30V 35A 8DFN

RM35N30DN Technisches Datenblatt

compliant

RM35N30DN Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.25000 $0.25
500 $0.2475 $123.75
1000 $0.245 $245
1500 $0.2425 $363.75
2000 $0.24 $480
2500 $0.2375 $593.75
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 5.5mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1265 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

IRF7406PBF
IRFW530ATM
CSD16327Q3
CSD16327Q3
$0 $/Stück
STF10N60DM2
FQB4N80TM
FQB4N80TM
$0 $/Stück
DMN3028L-13
STW14NK50Z
STW14NK50Z
$0 $/Stück
IXFX100N65X2
IXFX100N65X2
$0 $/Stück
SIDR570EP-T1-RE3

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