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SIDR570EP-T1-RE3

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Vishay Siliconix

N-CHANNEL 150 V (D-S) 175C MOSFE

nicht konform

SIDR570EP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $3.17000 $3.17
500 $3.1383 $1569.15
1000 $3.1066 $3106.6
1500 $3.0749 $4612.35
2000 $3.0432 $6086.4
2500 $3.0115 $7528.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 150 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30.8A (Ta), 90.9A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 71 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3740 pF @ 75 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8DC
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

PSMN8R7-100YSFX
STP27N60M2-EP
FDP7030L
SIHK075N60E-T1-GE3
2N7002-G
2N7002-G
$0 $/Stück
MMDFS3P303R2
MMDFS3P303R2
$0 $/Stück
APT21M100J

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