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APT21M100J

APT21M100J

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MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOP

APT21M100J Technisches Datenblatt

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APT21M100J Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $30.99000 $30.99
10 $28.66400 $286.64
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 1000 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 380mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 260 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 8500 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 462W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket ISOTOP®
Paket / Koffer SOT-227-4, miniBLOC
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Zugehörige Teilenummer

IXTA1R4N100P
IXTA1R4N100P
$0 $/Stück
SI7615CDN-T1-GE3
FDA2712
NTGS3447PT1G
NTGS3447PT1G
$0 $/Stück
SISA12ADN-T1-GE3
NTB6411ANT4G
NTB6411ANT4G
$0 $/Stück
NTMYS4D6N04CLTWG
NTMYS4D6N04CLTWG
$0 $/Stück

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