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SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

SISA12ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8

compliant

SISA12ADN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.37290 -
6,000 $0.34870 -
15,000 $0.33660 -
30,000 $0.33000 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2070 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.5W (Ta), 28W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

NTB6411ANT4G
NTB6411ANT4G
$0 $/Stück
NTMYS4D6N04CLTWG
NTMYS4D6N04CLTWG
$0 $/Stück
STB8N65M5
STB8N65M5
$0 $/Stück
DMT5015LFDF-7
STW56N65M2-4
SIHFR220-GE3
SIHFR220-GE3
$0 $/Stück

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