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STB8N65M5

STB8N65M5

STB8N65M5

MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK

STB8N65M5 Technisches Datenblatt

compliant

STB8N65M5 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1,000 $1.40658 -
2,000 $1.31990 -
5,000 $1.27656 -
195 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 690 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

DMT5015LFDF-7
STW56N65M2-4
SIHFR220-GE3
SIHFR220-GE3
$0 $/Stück
DMP10H400SE-13
SIHD3N50D-BE3
APT45M100J
IXFT30N50P
IXFT30N50P
$0 $/Stück
SQJ418EP-T1_GE3
RCX510N25
RCX510N25
$0 $/Stück

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