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IXFT30N50P

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IXYS

MOSFET N-CH 500V 30A TO268

IXFT30N50P Technisches Datenblatt

compliant

IXFT30N50P Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
30 $5.45300 $163.59
Inventory changes frequently.
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 500 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 30A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 200mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 5V @ 4mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 70 nC @ 10 V
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4150 pF @ 25 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 460W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-268AA
Paket / Koffer TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Zugehörige Teilenummer

SQJ418EP-T1_GE3
RCX510N25
RCX510N25
$0 $/Stück
2SK3800VL
2SK3800VL
$0 $/Stück
SCT30N120
SCT30N120
$0 $/Stück
IXFA8N85XHV
IXFA8N85XHV
$0 $/Stück
SIRA12BDP-T1-GE3
SI7148DP-T1-GE3
SQM70060EL_GE3

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