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2SK3800VL

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MOSFET N-CH 40V 70A TO220S

2SK3800VL Technisches Datenblatt

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Menge Stückpreis Ext. Preis
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 40 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 70A (Ta)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 5100 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 80W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-220S
Paket / Koffer TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Zugehörige Teilenummer

SCT30N120
SCT30N120
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IXFA8N85XHV
IXFA8N85XHV
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SIRA12BDP-T1-GE3
SI7148DP-T1-GE3
SQM70060EL_GE3
IXFA14N85XHV
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IRFR9310TRLPBF
FCPF190N65FL1-F154
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