Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

SIRA12BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 27A/60A PPAK SO8

compliant

SIRA12BDP-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.30369 -
6,000 $0.28274 -
15,000 $0.27227 -
30,000 $0.26656 -
1289 items
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 27A (Ta), 60A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4.3mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) +20V, -16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1470 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

SI7148DP-T1-GE3
SQM70060EL_GE3
IXFA14N85XHV
IXFA14N85XHV
$0 $/Stück
IRFR9310TRLPBF
FCPF190N65FL1-F154
FCPF190N65FL1-F154
$0 $/Stück
APT1001RBVRG
DMTH8012LK3Q-13

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.