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SI7615CDN-T1-GE3

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SI7615CDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

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SI7615CDN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.20034 -
6,000 $0.18741 -
15,000 $0.17449 -
30,000 $0.16544 -
0 items
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 20 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 1.8V, 4.5V
rds ein (max) @ id, vgs 9mOhm @ 12A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 63 nC @ 4.5 V
vgs (max) ±8V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3860 pF @ 10 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 33W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8
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Zugehörige Teilenummer

FDA2712
NTGS3447PT1G
NTGS3447PT1G
$0 $/Stück
SISA12ADN-T1-GE3
NTB6411ANT4G
NTB6411ANT4G
$0 $/Stück
NTMYS4D6N04CLTWG
NTMYS4D6N04CLTWG
$0 $/Stück
STB8N65M5
STB8N65M5
$0 $/Stück

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