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RM42N200DF

RM42N200DF

RM42N200DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 200V 42A 8DFN

RM42N200DF Technisches Datenblatt

nicht konform

RM42N200DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.24000 $1.24
500 $1.2276 $613.8
1000 $1.2152 $1215.2
1500 $1.2028 $1804.2
2000 $1.1904 $2380.8
2500 $1.178 $2945
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1598 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SQS460ENW-T1_GE3
MTW16N40E
MTW16N40E
$0 $/Stück
IXTA20N65X2
IXTA20N65X2
$0 $/Stück
IRFP3710PBF
STD9NM60N
STD9NM60N
$0 $/Stück
MMSF4N01HDR2
MMSF4N01HDR2
$0 $/Stück
IRF9Z24PBF
IRF9Z24PBF
$0 $/Stück

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