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RM42N200DF

RM42N200DF

RM42N200DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 200V 42A 8DFN

RM42N200DF Technisches Datenblatt

compliant

RM42N200DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.24000 $1.24
500 $1.2276 $613.8
1000 $1.2152 $1215.2
1500 $1.2028 $1804.2
2000 $1.1904 $2380.8
2500 $1.178 $2945
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 200 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 42A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 32mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1598 pF @ 100 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 150W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SQS460ENW-T1_GE3
MTW16N40E
MTW16N40E
$0 $/Stück
IXTA20N65X2
IXTA20N65X2
$0 $/Stück
IRFP3710PBF
STD9NM60N
STD9NM60N
$0 $/Stück
MMSF4N01HDR2
MMSF4N01HDR2
$0 $/Stück
IRF9Z24PBF
IRF9Z24PBF
$0 $/Stück

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