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STD9NM60N

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MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK

STD9NM60N Technisches Datenblatt

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STD9NM60N Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
2,500 $0.98010 -
5,000 $0.94380 -
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 600 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 6.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 745mOhm @ 3.25A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 17.4 nC @ 10 V
vgs (max) ±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 452 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 70W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DPAK
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

MMSF4N01HDR2
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IRF9Z24PBF
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SIR104DP-T1-RE3
IRF640NSPBF
FQU9N25TU
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STF26NM60N
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