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SIR104DP-T1-RE3

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SIR104DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK

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SIR104DP-T1-RE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $1.27323 -
6,000 $1.22905 -
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 100 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 7.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 6.4mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4230 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer PowerPAK® SO-8
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Zugehörige Teilenummer

IRF640NSPBF
FQU9N25TU
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STF26NM60N
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STL90N6F7
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IXFK120N30T
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$0 $/Stück
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