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RM45N60DF

RM45N60DF

RM45N60DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 60V 45A 8DFN

RM45N60DF Technisches Datenblatt

nicht konform

RM45N60DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.45000 $0.45
500 $0.4455 $222.75
1000 $0.441 $441
1500 $0.4365 $654.75
2000 $0.432 $864
2500 $0.4275 $1068.75
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 45A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 13mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 2180 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SIR184LDP-T1-RE3
SCT3060ALHRC11
FQD7P20TM
FQD7P20TM
$0 $/Stück
FDS3570
SISH114ADN-T1-GE3
ISL9N304AP3
STP52P3LLH6
SI4430BDY-T1-E3
FDP8443
SI2342DS-T1-BE3

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