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SISH114ADN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 18A/35A PPAK

nicht konform

SISH114ADN-T1-GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.33053 -
6,000 $0.30908 -
15,000 $0.29835 -
30,000 $0.29250 -
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 18A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7.5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 32 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 1230 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SH
Paket / Koffer PowerPAK® 1212-8SH
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Zugehörige Teilenummer

ISL9N304AP3
STP52P3LLH6
SI4430BDY-T1-E3
FDP8443
SI2342DS-T1-BE3
PMN25UN,115
PMN25UN,115
$0 $/Stück
NTMFS4C029NT1G
NTMFS4C029NT1G
$0 $/Stück
FDV304P
FDV304P
$0 $/Stück

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