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RM4N700IP

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Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO251

RM4N700IP Technisches Datenblatt

nicht konform

RM4N700IP Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.35000 $0.35
500 $0.3465 $173.25
1000 $0.343 $343
1500 $0.3395 $509.25
2000 $0.336 $672
2500 $0.3325 $831.25
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 700 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 280 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 46W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-251
Paket / Koffer TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Zugehörige Teilenummer

FDD2512
2SK4100LS-T-MG5
2SK4100LS-T-MG5
$0 $/Stück
FDD6780
NTE2378
NTE2378
$0 $/Stück
SI4056ADY-T1-GE3
PMF87EN,115
PMF87EN,115
$0 $/Stück
IRFP4710PBF
BUK7Y08-40B,115

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