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RM50P30D3

RM50P30D3

RM50P30D3

Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 30V 50A 8DFN

RM50P30D3 Technisches Datenblatt

compliant

RM50P30D3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.23000 $0.23
500 $0.2277 $113.85
1000 $0.2254 $225.4
1500 $0.2231 $334.65
2000 $0.2208 $441.6
2500 $0.2185 $546.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 8.7mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3448 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 38W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN-EP (3x3)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

SQ2337ES-T1_GE3
IRFR1N60APBF
IRFR1N60APBF
$0 $/Stück
SUM45N25-58-E3
IXFT94N30T
IXFT94N30T
$0 $/Stück
IRFL110TRPBF
IRFL110TRPBF
$0 $/Stück
PH2525L,115
SFP9540
IXTP100N04T2
IXTP100N04T2
$0 $/Stück

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