Welcome to ichome.com!

logo
Heim

SQ2337ES-T1_GE3

SQ2337ES-T1_GE3

SQ2337ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3

compliant

SQ2337ES-T1_GE3 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
3,000 $0.25992 -
6,000 $0.24408 -
15,000 $0.22824 -
30,000 $0.21715 -
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 80 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 2.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 6V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 290mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (max) @ ID 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 620 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Koffer TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Das Laden der PDF ist fehlgeschlagen. Sie können versuchen, sie in einem neuen Fenster zu öffnen, um darauf zuzugreifen [Offen], oder klicken Sie hier, um zurückzukehren

Zugehörige Teilenummer

IRFR1N60APBF
IRFR1N60APBF
$0 $/Stück
SUM45N25-58-E3
IXFT94N30T
IXFT94N30T
$0 $/Stück
IRFL110TRPBF
IRFL110TRPBF
$0 $/Stück
PH2525L,115
SFP9540
IXTP100N04T2
IXTP100N04T2
$0 $/Stück
RM8N650LD
RM8N650LD
$0 $/Stück

Ihr zuverlässiger Partner in der Elektronik

Wir sind bestrebt, Ihre Erwartungen zu übertreffen. IChome: Kundenservice neu definiert für die Elektronikbranche.