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RM8N650LD

RM8N650LD

RM8N650LD

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 650V 8A TO252-2

RM8N650LD Technisches Datenblatt

compliant

RM8N650LD Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.52000 $0.52
500 $0.5148 $257.4
1000 $0.5096 $509.6
1500 $0.5044 $756.6
2000 $0.4992 $998.4
2500 $0.494 $1235
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
Bom Kosten senken
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 650 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 8A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 540mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 680 pF @ 50 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 80W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket TO-252-2
Paket / Koffer TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Zugehörige Teilenummer

IRF840STRRPBF
R5011FNX
R5011FNX
$0 $/Stück
IXFX200N10P
IXFX200N10P
$0 $/Stück
RTF015N03TL
SIR158DP-T1-RE3
BSP92PL6327
NVMFS5C628NWFT1G
NVMFS5C628NWFT1G
$0 $/Stück
IXFA72N20X3
IXFA72N20X3
$0 $/Stück
FDT86244
FDT86244
$0 $/Stück

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