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RM50P30DF

RM50P30DF

RM50P30DF

Rectron USA

MOSFET P-CHANNEL 30V 50A 8DFN

RM50P30DF Technisches Datenblatt

nicht konform

RM50P30DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.42000 $0.42
500 $0.4158 $207.9
1000 $0.4116 $411.6
1500 $0.4074 $611.1
2000 $0.4032 $806.4
2500 $0.399 $997.5
0 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 30 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 50A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 10V
rds ein (max) @ id, vgs 7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 3590 pF @ 15 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 35W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

APT5018BFLLG
FDP2532
FDP2532
$0 $/Stück
ZVN4210A
ZVN4210A
$0 $/Stück
DMG8880LK3-13
ZXMN10B08E6TA
DMP2075UVT-13
APT50M65LFLLG
UJ4C075033K4S
UJ4C075033K4S
$0 $/Stück

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