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RM80N60DF

RM80N60DF

RM80N60DF

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 60V 80A 8DFN

RM80N60DF Technisches Datenblatt

compliant

RM80N60DF Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
Inventory changes frequently.
Bom Kosten senken
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (VDSS) 60 V
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C 80A (Tc)
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) 4.5V, 10V
rds ein (max) @ id, vgs 4mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ ID 2.4V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) ±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds 4000 pF @ 30 V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 85W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x6)
Paket / Koffer 8-PowerVDFN
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Zugehörige Teilenummer

STP6N62K3
STP6N62K3
$0 $/Stück
FDMS8680
FDMS8680
$0 $/Stück
STW18NM60N
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$0 $/Stück
BUK7575-100A,127
BUK7575-100A,127
$0 $/Stück
C3M0025065J1
C3M0025065J1
$0 $/Stück
IXTT8P50
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$0 $/Stück
SCTWA10N120

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