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H5N3011P80-E#T2

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H5N3011P80-E#T2

N-CHANNEL POWER MOSFET

nicht konform

H5N3011P80-E#T2 Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $12.62000 $12.62
500 $12.4938 $6246.9
1000 $12.3676 $12367.6
1500 $12.2414 $18362.1
2000 $12.1152 $24230.4
2500 $11.989 $29972.5
4770 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

SI4842BDY-T1-GE3
NDD60N900U1T4G
NDD60N900U1T4G
$0 $/Stück
IPS105N03LG
APT10090BFLLG
STD9NM40N
STD9NM40N
$0 $/Stück
RM3010
RM3010
$0 $/Stück
IRFI9540GPBF
IRFI9540GPBF
$0 $/Stück

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