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HAT1130RWS-E

HAT1130RWS-E

HAT1130RWS-E

P-CHANNEL POWER MOSFET

nicht konform

HAT1130RWS-E Preise und Bestellung

Menge Stückpreis Ext. Preis
1 $1.08000 $1.08
500 $1.0692 $534.6
1000 $1.0584 $1058.4
1500 $1.0476 $1571.4
2000 $1.0368 $2073.6
2500 $1.026 $2565
2170 items
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Großhandelspreise für jede Bestellung, ob groß oder klein
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Name Wert
Produktstatus Active
FET-Typ -
Technologie -
Drain-Source-Spannung (VDSS) -
Strom - Dauerentladung (id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (max. rds an, min. rds an) -
rds ein (max) @ id, vgs -
vgs(th) (max) @ ID -
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs -
vgs (max) -
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds -
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) -
Betriebstemperatur -
Montageart -
Lieferantengerätepaket -
Paket / Koffer -
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Zugehörige Teilenummer

FDMC86320
FDMC86320
$0 $/Stück
PSMN5R3-25MLDX
STLD200N4F6AG
RSR015P06HZGTL
IRF7201TRPBF
STB180N55F3
RQ3E120GNTB
IXFX80N50Q3
IXFX80N50Q3
$0 $/Stück

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